Transistor Silicon PNP Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications The part 2SA2069 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SA2069 transistor.