IC Phoenix logo

Home ›  2  › 29 > 2SA1942

2SA1942 from

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

2SA1942

Trans GP BJT PNP 160V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SA1942 75 In Stock

Description and Introduction

Trans GP BJT PNP 160V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL The **2SA1942** is a high-power PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for use in audio amplification and power regulation circuits. Known for its robust performance, this component is commonly employed in high-fidelity audio systems, power supplies, and industrial applications where efficient power handling is essential.  

With a collector-emitter voltage (VCE) rating of -230V and a collector current (IC) of -15A, the 2SA1942 is capable of delivering substantial power output while maintaining stability. Its complementary NPN counterpart, the **2SC5200**, is often paired with it in push-pull amplifier configurations to achieve balanced performance.  

The transistor features a low saturation voltage and high current gain, ensuring minimal power loss and efficient signal amplification. Its TO-264 package provides excellent thermal dissipation, making it suitable for high-temperature environments.  

Engineers and designers favor the 2SA1942 for its reliability and durability in demanding applications. Whether used in professional audio amplifiers or industrial control systems, this transistor remains a trusted choice for high-power switching and amplification tasks. Proper heat sinking and circuit design are recommended to maximize its performance and longevity.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
2SA1942 TOSHIBA 22 In Stock

Description and Introduction

Trans GP BJT PNP 160V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL The 2SA1942 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -230V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -230V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -15A
- **Collector Dissipation (PC):** 150W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 55 to 160
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz
- **Package:** TO-3P

These specifications are typical for the 2SA1942 transistor as provided by Toshiba.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips