Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The 2SA1873 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1873 transistor.

Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The 2SA1873 is a PNP silicon transistor manufactured by DIODES. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SA1873 transistor and are subject to standard manufacturing variations.