Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The 2SA1832 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -200V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -200V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 25W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz
- **Package:** TO-220F

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1832 transistor.

Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications The 2SA1832 is a PNP transistor manufactured by DIODES Incorporated. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by DIODES Incorporated.