PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Voltage Switching Applications The 2SA1708 is a PNP transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon (Si)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to 150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the standard operating conditions provided by SANYO for the 2SA1708 transistor.

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Voltage Switching Applications The 2SA1708 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (depending on the specific variant)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Package:** TO-92MOD

These specifications are typical for the 2SA1708 transistor and may vary slightly depending on the manufacturer and specific batch.