Silicon PNP epitaxial planar type The 2SA1499 is a PNP silicon transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the datasheet provided by Panasonic for the 2SA1499 transistor.

Silicon PNP epitaxial planar type The 2SA1499 is a PNP silicon transistor manufactured by MATSU. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.

Silicon PNP epitaxial planar type The 2SA1499 is a PNP silicon transistor manufactured by Panasonic. Here are its key specifications:

- **Type:** PNP Silicon Transistor
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 20W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Package:** TO-220

These specifications are based on the information available in Ic-phoenix technical data files.