PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Definiton CRT Display Video Output Applications The 2SA1480 is a PNP silicon transistor manufactured by Sanyo (三洋). Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-220

These specifications are typical for the 2SA1480 transistor as provided by Sanyo.

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Definiton CRT Display Video Output Applications# 2SA1480 PNP Bipolar Junction Transistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SA1480 is a high-voltage PNP bipolar junction transistor primarily employed in  power amplification  and  switching applications . Common implementations include:

-  Audio Power Amplifiers : Output stages in Class AB/B amplifiers (40-80W range)
-  Voltage Regulation Circuits : Series pass elements in linear power supplies
-  Motor Control Systems : Driver stages for DC motor speed control
-  Display Systems : Horizontal deflection circuits in CRT monitors
-  Power Supply Switching : Inverter circuits and DC-DC converters

### Industry Applications
 Consumer Electronics :
- Home theater systems and stereo receivers
- Television power supply circuits
- Professional audio equipment

 Industrial Systems :
- Industrial motor drives
- Power control modules
- Test and measurement equipment

 Automotive Electronics :
- Audio amplification systems
- Power window/lock controllers
- Lighting control modules

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  High Voltage Capability  (150V VCEO) suitable for line-operated equipment
-  Excellent SOA (Safe Operating Area)  for reliable power handling
-  Good Frequency Response  (fT = 60MHz) for audio and medium-speed switching
-  Robust Construction  with TO-220 package for effective heat dissipation

 Limitations :
-  Moderate Current Handling  (1.5A IC max) restricts very high-power applications
-  Lower β (DC Current Gain)  compared to modern alternatives (40-140 range)
-  Aging Technology  - superseded by more efficient devices in new designs
-  Thermal Considerations  require proper heatsinking for maximum performance

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues :
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Use thermal compound and proper heatsink (RθSA < 5°C/W for full power)

 Stability Problems :
-  Pitfall : Oscillation in high-frequency applications
-  Solution : Implement base stopper resistors (10-47Ω) and proper decoupling

 SOA Violation :
-  Pitfall : Operating outside Safe Operating Area during switching
-  Solution : Include snubber networks and ensure operation within SOA curves

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Stage Compatibility :
- Requires adequate base drive current (IC/β)
- Compatible with common driver ICs (TL494, SG3525) with appropriate interface

 Complementary Pairing :
- Pairs well with NPN transistors like 2SC3902 for push-pull configurations
- Ensure matching of key parameters (β, VCE(sat)) for balanced operation

 Protection Circuit Requirements :
- Overcurrent protection essential due to limited SOA
- Thermal shutdown recommended for reliability

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Routing :
- Use wide traces (≥2mm) for collector and emitter paths
- Minimize loop areas in high-current paths

 Thermal Management :
- Provide adequate copper area for heatsinking
- Use thermal vias when mounting to PCB heatsinks
- Maintain minimum 3mm clearance from heat-sensitive components

 Signal Integrity :
- Keep base drive components close to transistor
- Separate high-current and low-current ground paths
- Use star grounding for optimal performance

 Decoupling Strategy :
- Place 100nF ceramic capacitors close to collector and base pins
- Include bulk electrolytic capacitors (100-470μF) in power supply rails

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings :
-  VCEO : 150V (Collector-Emitter Voltage

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Definiton CRT Display Video Output Applications The 2SA1480 is a PNP silicon transistor manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz
- **Package:** TO-92

These specifications are typical for the 2SA1480 transistor as provided by SANYO.

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Definiton CRT Display Video Output Applications# Technical Documentation: 2SA1480 PNP Transistor

 Manufacturer : SANYO  
 Component Type : PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)

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## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 2SA1480 is a high-voltage PNP transistor primarily employed in power regulation and amplification circuits. Key applications include:

-  Series Pass Elements  in linear power supplies (5-60V output ranges)
-  Audio Output Stages  in medium-power amplifiers (15-30W RMS)
-  Motor Drive Circuits  for DC motor speed control
-  Display Systems  as horizontal deflection components in CRT monitors
-  Industrial Control  interfaces for relay driving and solenoid control

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Television vertical deflection circuits, audio amplifier output stages
-  Industrial Automation : Motor controllers, power supply regulation modules
-  Telecommunications : Power management in base station equipment
-  Automotive Systems : Electronic ignition systems, power window controllers
-  Medical Equipment : Power supply units for portable medical devices

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- High collector-emitter voltage rating (VCEO = -120V) suitable for industrial applications
- Moderate current handling (IC = -1.5A) balances power capability with physical size
- Good thermal characteristics with proper heatsinking (PT = 20W)
- Robust construction withstands industrial environment stresses
- Cost-effective solution for medium-power applications

 Limitations: 
- Limited switching speed (fT = 60MHz) restricts high-frequency applications
- Requires careful thermal management at maximum ratings
- Higher saturation voltage compared to modern MOSFET alternatives
- Beta degradation at temperature extremes requires design margin
- Larger physical footprint than SMD alternatives

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## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Runaway 
-  Pitfall : Insufficient heatsinking causing thermal runaway in high-current applications
-  Solution : Implement proper derating (use ≤70% of maximum ratings), include thermal shutdown circuitry, use temperature compensation in bias networks

 Secondary Breakdown 
-  Pitfall : Operating near SOA (Safe Operating Area) limits causing device failure
-  Solution : Add current limiting circuits, ensure operation within SOA curves, use protective diodes

 Storage Time Issues 
-  Pitfall : Slow switching in PWM applications causing excessive power dissipation
-  Solution : Implement Baker clamp circuits, use speed-up capacitors in drive circuits

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
- Requires adequate base drive current (IB = -150mA max)
- Incompatible with low-current CMOS outputs without buffer stages
- Matches well with complementary NPN transistors (2SC series)

 Protection Component Requirements 
- Requires reverse-biased protection diodes when driving inductive loads
- Needs snubber networks in switching applications
- Compatible with standard emitter resistors (0.1-1Ω range)

### PCB Layout Recommendations

 Thermal Management 
- Use generous copper pours (≥2 oz) for heatsinking
- Implement multiple thermal vias under device tab
- Maintain minimum 3mm clearance from heat-sensitive components

 Electrical Considerations 
- Keep base drive components close to device pins (≤10mm)
- Use star grounding for high-current paths
- Separate high-current and signal return paths
- Implement guard rings for sensitive bias circuits

 Mechanical Layout 
- Allow adequate clearance for heatsink mounting
- Provide strain relief for lead connections
- Orient device to optimize airflow in enclosure

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## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings 
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -120V (defines maximum operating voltage)
- Collector Current (IC): -1.5A (continuous current limit)
- Total Power Dissipation (PT): 20W