HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD The 2SA1330 is a PNP silicon transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (at VCE = -5V, IC = -150mA, f = 1MHz)
- **Package:** TO-126

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SA1330 transistor.