Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Strobe Flash Applications Audio Power Applications The part 2SA1314 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Usage**: For general-purpose amplification and switching applications
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (at VCE = -5V, IC = -10mA, f = 100MHz)
- **Package**: TO-92MOD

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SA1314 transistor.