Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications The 2SA1241 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP silicon transistor
- **Manufacturer**: Toshiba
- **Package**: TO-220F
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -160V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -160V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -0.5A)
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz (at VCE = -10V, IC = -0.5A, f = 1MHz)
- **Applications**: General-purpose amplification and switching

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions specified therein.