Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications The 2SA1225 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -120V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -120V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320
- **Package:** TO-126

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1225 transistor.

Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications The 2SA1225 is a PNP silicon transistor manufactured by 长电 (Changjiang Electronics). Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Power Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions specified therein.