Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Power Amplifier Applications Voltage Amplifier Applications The 2SA1202 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon
- **Structure:** Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1.5A
- **Collector Dissipation (PC):** 1W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 80MHz (at VCE = -5V, IC = -150mA, f = 10MHz)
- **Package:** TO-126

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SA1202 transistor.