NPN general purpose transistor The 2PD602A is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by NXP Semiconductors. It is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Transistor Type**: PNP
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: -25V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: -30V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: -5V
- **Collector Current (Ic)**: -500mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 625mW
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 250 (at Ic = -10mA, Vce = -1V)
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount Device)

These specifications are typical for the 2PD602A transistor and are subject to standard manufacturing tolerances.

NPN general purpose transistor The 2PD602A is a power diode manufactured by PH (Philips). Here are the key specifications:

- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 200 V
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 6 A
- **Maximum Peak Forward Surge Current (IFSM):** 200 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF):** Typically 1.1 V at 6 A
- **Reverse Recovery Time (trr):** Typically 500 ns
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -40°C to +150°C
- **Package:** DO-15

These specifications are based on standard operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental conditions.