NPN general purpose transistor The 2PD601AQ is a high-frequency NPN transistor manufactured by NXP Semiconductors. It is designed for use in RF and microwave applications, particularly in the VHF and UHF frequency ranges. Key specifications include:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: SOT-89
- **Collector-Emitter Voltage (Vce)**: 12 V
- **Collector Current (Ic)**: 50 mA
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1 W
- **Transition Frequency (ft)**: 8 GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2 dB (typical at 1 GHz)
- **Gain (hfe)**: 20 to 40 (typical)

The 2PD601AQ is commonly used in low-noise amplifiers, oscillators, and other RF circuits requiring high-frequency performance.

NPN general purpose transistor The part 2PD601AQ is a semiconductor device manufactured by PHILIPS. It is a PNP/NPN resistor-equipped transistor (RET) in a SOT457 (SC-74) surface-mounted device (SMD) package. The device is designed for general-purpose amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Transistor Type:** PNP/NPN
- **Package:** SOT457 (SC-74)
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 50 V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50 V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5 V
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100 mA
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 250 mW
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 600
- **Transition Frequency (f_T):** 250 MHz

These specifications are typical for the 2PD601AQ transistor and are intended for use in various electronic circuits requiring small-signal transistors.