Small Signal MOSFET 115 mA, 60 Volts The 2N7002L is a N-channel enhancement mode field effect transistor (FET) manufactured by UTC (Unisonic Technologies). Below are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 115mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 200mW
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 0.8V to 3V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 7.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 50mA
- **Input Capacitance (C_iss)**: 50pF (typ) at V_DS = 25V, V_GS = 0V, f = 1MHz
- **Output Capacitance (C_oss)**: 15pF (typ) at V_DS = 25V, V_GS = 0V, f = 1MHz
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typ) at V_DS = 25V, V_GS = 0V, f = 1MHz
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ) at V_DD = 10V, I_D = 50mA, R_G = 25Ω
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typ) at V_DD = 10V, I_D = 50mA, R_G = 25Ω
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 25ns (typ) at V_DD = 10V, I_D = 50mA, R_G = 25Ω
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typ) at V_DD = 10V, I_D = 50mA, R_G = 25Ω

The 2N7002L is available in SOT-23 packaging and is commonly used in low-power switching applications.