N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The 2N7002 is a N-channel enhancement mode field effect transistor (FET) manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** 115mA
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW
- **On-Resistance (Rds(on)):** 5Ω (max) at Vgs = 10V, Id = 50mA
- **Threshold Voltage (Vgs(th)):** 0.8V to 3V
- **Input Capacitance (Ciss):** 50pF (typ) at Vds = 25V, Vgs = 0V
- **Output Capacitance (Coss):** 15pF (typ) at Vds = 25V, Vgs = 0V
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ) at Vds = 25V, Vgs = 0V
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C
- **Package:** SOT-23

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 2N7002 transistor.