-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The 2N6849 is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Microsemi. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 400V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 500V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V
- **Collector Current (I_C)**: 1A
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 60 (at I_C = 0.5A, V_CE = 5V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 10MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-39

These specifications are based on Microsemi's datasheet for the 2N6849 transistor.