-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The 2N6847 is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications for the 2N6847:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 450V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 500V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 7V
- **Collector Current (I_C)**: 7A
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 60 (typically at a specific operating point)
- **Transition Frequency (f_T)**: 10MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions unless otherwise noted.