-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The 2N6845 is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Vishay Semiconductors (formerly Siliconix). Below are the key specifications for the 2N6845:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Manufacturer**: Vishay Semiconductors (SI/VISHAY)
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 450 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 500 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6 V
- **Collector Current (I_C)**: 1 A
- **Power Dissipation (P_D)**: 40 W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 60 (at I_C = 0.5 A, V_CE = 5 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 10 MHz
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-220 (TO-220AB)

This transistor is designed for high-voltage applications, such as power switching and amplification. Always refer to the official datasheet for detailed performance characteristics and application guidelines.