400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The 2N6800 is a silicon-controlled switch (SCS) manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon-Controlled Switch (SCS)
- **Manufacturer**: International Rectifier (IR)
- **Package**: TO-39
- **Voltage - Off State (Vdrm)**: 200V
- **Current - On State (It (RMS))**: 4A
- **Current - Gate Trigger (Igt)**: 200µA
- **Current - Hold (Ih)**: 2mA
- **Operating Temperature**: -65°C to +150°C
- **Mounting Type**: Through Hole

These are the factual specifications for the 2N6800 as provided by the manufacturer.

400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The 2N6800 is a silicon NPN power transistor manufactured by Vishay. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 4A
- **Power Dissipation (P_D)**: 40W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 60
- **Transition Frequency (f_T)**: 10MHz
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-220

These specifications are based on Vishay's datasheet for the 2N6800 transistor.

400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The 2N6800 is a silicon NPN transistor manufactured by Vishay (formerly Siliconix). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-39 metal can
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 40V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Collector Current (Ic)**: 1A
- **Power Dissipation (Pd)**: 1W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 120 (at Ic = 150mA, Vce = 1V)
- **Transition Frequency (ft)**: 100MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N6800 transistor as provided by Vishay.

400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The 2N6800 is a silicon NPN power transistor manufactured by Motorola (MOT). Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 60V
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcbo)**: 80V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Vebo)**: 5V
- **Continuous Collector Current (Ic)**: 4A
- **Total Power Dissipation (Pd)**: 40W
- **DC Current Gain (hFE)**: 15-60
- **Transition Frequency (ft)**: 2MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.