COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS The 2N6316 is a silicon NPN power transistor manufactured by SSI (Solid State Inc.). Here are the key specifications:

- **Type:** NPN
- **Material:** Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 80V
- **Collector-Base Voltage (Vcbo):** 100V
- **Emitter-Base Voltage (Vebo):** 5V
- **Collector Current (Ic):** 8A
- **Power Dissipation (Pd):** 75W
- **DC Current Gain (hFE):** 15-60
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +200°C
- **Package:** TO-3

These specifications are based on the manufacturer's data sheet for the 2N6316 transistor.