N-Channel JFET High Frequency Amplifier The 2N5485 is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are the key specifications for the 2N5485:

- **Type**: N-channel JFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 25V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: -25V
- **Drain Current (Id)**: 10mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 310mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -4.0V
- **Zero-Gate Voltage Drain Current (Idss)**: 4mA to 10mA
- **Forward Transconductance (gfs)**: 4000µS (min) at Vds = 15V, Id = 1mA
- **Input Capacitance (Ciss)**: 4.5pF (max) at Vds = 15V, Vgs = 0V, f = 1MHz
- **Output Capacitance (Coss)**: 2.5pF (max) at Vds = 15V, Vgs = 0V, f = 1MHz
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1.5pF (max) at Vds = 15V, Vgs = 0V, f = 1MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the original Siliconix datasheet for the 2N5485.

N-Channel JFET High Frequency Amplifier The 2N5485 is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: N-channel JFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 25V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: -25V
- **Drain Current (Id)**: 10mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 310mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -4V
- **Drain-Source On Resistance (Rds(on))**: 200Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 2.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1.5pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

This JFET is commonly used in low-noise amplifier applications, switching circuits, and other analog signal processing tasks.

N-Channel JFET High Frequency Amplifier The 2N5485 is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). Key specifications include:

- **Type**: N-channel JFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 25V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: -25V
- **Drain Current (Id)**: 10mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 310mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -6V
- **Drain-Source On Resistance (Rds(on))**: 200Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 4.5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 2.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1.5pF (typical)

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the 2N5485.