Leaded JFET General Purpose The 2N5460 is a P-channel JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by SILICON. Here are the key specifications:

- **Type**: P-channel JFET
- **Maximum Drain-Source Voltage (Vds)**: -40V
- **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs)**: -40V
- **Maximum Drain Current (Id)**: -10mA
- **Maximum Power Dissipation (Pd)**: 310mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.5V to -6V
- **Drain-Source On Resistance (Rds(on))**: 200Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 5pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 2.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 1.5pF (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2N5460 JFET and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.