NPN General Purpose Amplifier The 2N5307 is a PNP silicon transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -3A
- **Power Dissipation (PD)**: 25W
- **DC Current Gain (hFE)**: 40-120
- **Operating and Storage Junction Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are typical for the 2N5307 transistor as provided by Fairchild Semiconductor.

NPN General Purpose Amplifier The 2N5307 is a PNP silicon transistor manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -1A
- **Power Dissipation (PD):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 120
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C

The transistor is available in a TO-39 metal can package.