ZXTN25012EFHTA

12V, SOT23, NPN medium power transistor The part **ZXTN25012EFHTA** is manufactured by **Diodes Incorporated (DIDDES)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 12V  
- **Collector Current (I_C):** 5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ I_C = 1A  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-current, low-voltage applications**.  
- **Low saturation voltage** for improved efficiency.  
- **High current gain (h_FE)** for better performance in switching and amplification.  
- **Suitable for power management, motor control, and load switching.**  
- **RoHS compliant** and **halogen-free**.  
- **Pb-free** and **green product** compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.

12V, SOT23, NPN medium power transistor