ZXMN3A03E6TA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The ZXMN3A03E6TA is a N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ZETEX  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 1.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 5.1A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 0.085Ω (VGS = 10V)  
  - 0.11Ω (VGS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 3.5nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switching.  
- Features low gate charge and low on-resistance for improved performance.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables operation with low drive voltages.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Enhanced Thermal Performance:** Efficient power dissipation in a compact SOT-23 package.  
- **ESD Protection:** Robust against electrostatic discharge.  

For detailed application notes or further technical support, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET