ZTX601

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS The part ZTX601 is manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) to 400 (max) at I_C = 100mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 175MHz (typical)  
- **Package:** TO-92 (through-hole)  

### **Descriptions:**
- The ZTX601 is a high-gain, medium-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is optimized for low saturation voltage and high current gain, making it suitable for driver stages and linear circuits.  

### **Features:**
- **High Current Gain (h_FE):** Ensures efficient signal amplification.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances performance in switching applications.  
- **Moderate Power Handling:** Suitable for small to medium power circuits.  
- **TO-92 Package:** Compact and widely used for prototyping and commercial applications.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Diodes Incorporated (formerly ZETEX).

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS