SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES The part **ZMV835ATA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** High-voltage NPN transistor  
- **Package:** SOT-23 (3-pin surface-mount package)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 350V  
- **Collector Current (I_C):** 50mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 (min) at I_C = 5mA, V_CE = 10V  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage switching** and **amplification** applications.  
- Suitable for **LED drivers, power management circuits, and industrial controls**.  
- **Low saturation voltage** for efficient switching.  
- **High breakdown voltage** (350V) for robust performance in demanding applications.  
- **Compact SOT-23 package** for space-constrained designs.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated** (formerly ZETEX).

SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES