SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES The part **ZMV832BTA** is manufactured by **ZETEX**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Transistor  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 12V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 12V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) at 2V, 10mA  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **ZMV832BTA** is a high-frequency NPN transistor designed for small-signal amplification and switching applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-speed performance, making it suitable for RF and general-purpose circuits.  

### **Features:**
- **High Transition Frequency (f_T)** for RF applications.  
- **Low Saturation Voltage** for efficient switching.  
- **Compact SOT-23 Package** for space-constrained designs.  
- **High DC Current Gain (h_FE)** for improved amplification.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet. No additional suggestions or guidance are provided.

SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES