SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES The part **ZMV831BTA** is manufactured by **ZETEX** (now part of Diodes Incorporated). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Planar Microwave Transistor  
- **Application:** Designed for low-noise, high-gain amplification in RF applications  
- **Frequency Range:** Typically operates in the **UHF to microwave range**  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** Typically **12V**  
- **Collector Current (I_C):** Up to **30mA**  
- **Power Dissipation (P_tot):** **200mW**  
- **Noise Figure:** Low noise performance suitable for RF amplification  
- **Gain:** High gain characteristics at microwave frequencies  

### **Descriptions:**  
- The **ZMV831BTA** is optimized for **low-noise amplifier (LNA) applications** in RF and microwave circuits.  
- It is commonly used in **wireless communication systems, satellite receivers, and RF front-end modules**.  
- The **SOT-23 package** makes it suitable for compact PCB designs.  

### **Features:**  
- **Low noise figure** for improved signal integrity  
- **High gain** at microwave frequencies  
- **Small form factor** (SOT-23) for space-constrained applications  
- **Stable performance** in RF circuits  

For exact electrical characteristics, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated (formerly ZETEX)**.

SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES