SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES The part **ZC832BTA** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 350mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 400 (typical)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **ZC832BTA** is a high-performance NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-speed operation, making it suitable for RF and signal processing circuits.  

### **Features:**  
- **High Current Gain (hFE):** Ensures efficient signal amplification.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances switching performance.  
- **High Transition Frequency (fT):** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact SOT-23 Package:** Ideal for space-constrained PCB designs.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact application details, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated** (formerly ZETEX).

SILICON 28V HYPERABRUPT VARACTOR DIODES