5 Volt, Byte Alterable E2PROM The X28HC64SI-12 is a high-speed CMOS EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) manufactured by Xicor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Part Number:** X28HC64SI-12  
- **Manufacturer:** Xicor  
- **Memory Size:** 64K (8K x 8 bits)  
- **Technology:** High-Speed CMOS  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** 28-lead SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  

### **Descriptions:**
- The X28HC64SI-12 is a non-volatile EEPROM with a byte-alterable architecture, allowing individual byte writes without requiring a full block erase.  
- It features a fast read access time of 120 ns, making it suitable for high-performance applications.  
- The device is designed for industrial environments with an extended temperature range.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 120 ns access time.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low standby and active power.  
- **Byte-Write Capability:** Supports single-byte writes without prior erasure.  
- **Automatic Write Timing:** Internal control circuitry manages write cycles.  
- **Hardware & Software Protection:** Includes write protection features to prevent accidental data corruption.  
- **Industrial Temperature Range:** Operates reliably in harsh conditions (-40°C to +85°C).  
- **Standard 28-pin SOIC Package:** Compact and suitable for space-constrained designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

5 Volt, Byte Alterable E2PROM The **X28HC64SI-12** is a high-speed CMOS EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) manufactured by **Intersil**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 64K (8K x 8 bits)  
- **Technology:** High-speed CMOS  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** 28-lead SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 10 years (minimum)  

### **Descriptions:**  
- The **X28HC64SI-12** is a **non-volatile** memory device, meaning it retains data even when power is removed.  
- It supports **byte-level read and write operations**, allowing flexible data updates.  
- The device is designed for **high-reliability applications** in industrial and embedded systems.  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 120 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 30 mA (max)  
  - Standby current: 100 µA (max)  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Write protection via control pins (`WE`, `CE`, `OE`)  
  - Internal timer prevents over-write conditions  
- **JEDEC Standard Pinout:** Ensures compatibility with other EEPROMs.  
- **Self-Timed Write Cycle:** Automatically manages programming and erase operations.  
- **CMOS Technology:** Provides high noise immunity and low power consumption.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the **X28HC64SI-12** from **Intersil**.