LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The **X28HC256SIZ-12** is a high-speed **256K (32K x 8) CMOS EEPROM** manufactured by **Intersil**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Density:** 256Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** CMOS  
- **Access Time:** 120ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C (Industrial)  
- **Package:** 28-lead SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- **High-Speed EEPROM:** Optimized for fast read and write operations.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures efficient power usage.  
- **Byte Alterability:** Supports individual byte writes without requiring a full block erase.  
- **Industrial-Grade:** Designed for harsh environments with extended temperature support.  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 120ns maximum.  
- **Automatic Page Write Mode:** Allows faster programming by writing up to 64 bytes in a single operation.  
- **Hardware & Software Data Protection:** Prevents accidental writes.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **Self-Timed Write Cycle:** Simplifies system integration.  
- **JEDEC-Approved Pinout:** Ensures industry-standard compatibility.  

This EEPROM is suitable for applications requiring **non-volatile memory storage**, such as embedded systems, industrial controls, and telecommunications.