LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The **X28HC256S-12** is a high-speed CMOS EEPROM manufactured by **XICOR**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 256Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** High-Speed CMOS  
- **Access Time:** 120ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package Type:** 28-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  

### **Descriptions:**  
- The **X28HC256S-12** is a **non-volatile** EEPROM, meaning it retains data even when power is removed.  
- It supports **byte-write** and **page-write** operations for efficient data storage.  
- Features a **static design**, eliminating the need for external components like refresh circuits.  
- Compatible with **JEDEC standard** pinout for easy integration.  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 120ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 30mA (max)  
  - Standby Current: 100µA (max)  
- **Page-Write Mode:** Up to 64 bytes can be written in a single operation.  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Built-in **write protection** circuitry.  
  - **VCC** monitor prevents writes during power fluctuations.  
- **Self-Timed Write Cycle:** No external timing components required.  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: 100K cycles per byte  
  - Data retention: 100 years  

This device is designed for applications requiring **high-speed, low-power, and reliable non-volatile memory**, such as embedded systems, industrial controls, and telecommunications.