X28HC256JM-90

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The X28HC256JM-90 is a high-speed CMOS EEPROM manufactured by Xicor (now part of Intersil). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 256 Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** High-speed CMOS  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 28-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The X28HC256JM-90 is a high-performance, byte-alterable EEPROM designed for applications requiring fast read and write operations.  
- It features a fast access time of 90 ns, making it suitable for high-speed microprocessor-based systems.  
- The device supports a simple byte-write operation without requiring an external programming voltage.  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 90 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 30 mA (typical)  
  - Standby current: 100 µA (typical)  
- **Automatic Write Timing:** Internal control for simplified interfacing.  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 write cycles per byte  
  - Data retention: 100 years  
- **Compatibility:** Fully compatible with TTL levels for inputs and outputs.  
- **Software Data Protection:** Prevents accidental writes.  
- **Page Write Mode:** Allows faster programming of multiple bytes.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM