LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The X28HC256JM-90 is a high-speed CMOS EEPROM manufactured by Xicor (now part of Intersil). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 256 Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** High-speed CMOS  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 28-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The X28HC256JM-90 is a high-performance, byte-alterable EEPROM designed for applications requiring fast read and write operations.  
- It features a fast access time of 90 ns, making it suitable for high-speed microprocessor-based systems.  
- The device supports a simple byte-write operation without requiring an external programming voltage.  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 90 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 30 mA (typical)  
  - Standby current: 100 µA (typical)  
- **Automatic Write Timing:** Internal control for simplified interfacing.  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 write cycles per byte  
  - Data retention: 100 years  
- **Compatibility:** Fully compatible with TTL levels for inputs and outputs.  
- **Software Data Protection:** Prevents accidental writes.  
- **Page Write Mode:** Allows faster programming of multiple bytes.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The **Intersil X28HC256JM-90** is a high-speed CMOS **256K (32K x 8) EEPROM** with the following specifications and features:  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Size:** 256Kbit (32K x 8)  
- **Speed:** 90ns access time  
- **Voltage Supply:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 28-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Technology:** High-Speed CMOS  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 10 years (minimum)  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 90ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 30mA (max)  
  - Standby Current: 100μA (max)  
- **Byte-Write & Page-Write Modes:** Supports 64-byte page writes  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Write protection via control pin (WE#)  
  - Built-in software data protection algorithm  
- **CMOS & TTL Compatible I/O:**  
  - Inputs and outputs compatible with both CMOS and TTL levels  
- **Automatic Write Timing:** Internal timer controls write cycle  

### **Description:**  
The **X28HC256JM-90** is a high-performance **Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM)** designed for applications requiring fast read/write operations. It is well-suited for systems needing non-volatile memory with high endurance and reliability.  

This device is **obsolete** and may no longer be in production by Intersil (now part of Renesas Electronics).  

Would you like additional details on pin configuration or timing diagrams?

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM