LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The X28HC256JM-90 is a high-speed CMOS EEPROM manufactured by Xicor (now part of Intersil). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 256 Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** High-speed CMOS  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 28-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The X28HC256JM-90 is a high-performance, byte-alterable EEPROM designed for applications requiring fast read and write operations.  
- It features a fast access time of 90 ns, making it suitable for high-speed microprocessor-based systems.  
- The device supports a simple byte-write operation without requiring an external programming voltage.  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 90 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 30 mA (typical)  
  - Standby current: 100 µA (typical)  
- **Automatic Write Timing:** Internal control for simplified interfacing.  
- **High Reliability:**  
  - Endurance: 100,000 write cycles per byte  
  - Data retention: 100 years  
- **Compatibility:** Fully compatible with TTL levels for inputs and outputs.  
- **Software Data Protection:** Prevents accidental writes.  
- **Page Write Mode:** Allows faster programming of multiple bytes.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The **Intersil X28HC256JM-90** is a high-speed CMOS **256K (32K x 8) EEPROM** with the following specifications and features:  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Size:** 256Kbit (32K x 8)  
- **Speed:** 90ns access time  
- **Voltage Supply:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 28-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Technology:** High-Speed CMOS  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 10 years (minimum)  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 90ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Current: 30mA (max)  
  - Standby Current: 100μA (max)  
- **Byte-Write & Page-Write Modes:** Supports 64-byte page writes  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Write protection via control pin (WE#)  
  - Built-in software data protection algorithm  
- **CMOS & TTL Compatible I/O:**  
  - Inputs and outputs compatible with both CMOS and TTL levels  
- **Automatic Write Timing:** Internal timer controls write cycle  

### **Description:**  
The **X28HC256JM-90** is a high-performance **Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM)** designed for applications requiring fast read/write operations. It is well-suited for systems needing non-volatile memory with high endurance and reliability.  

This device is **obsolete** and may no longer be in production by Intersil (now part of Renesas Electronics).  

Would you like additional details on pin configuration or timing diagrams?