X28HC256JI-90

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The **X28HC256JI-90** is a high-speed CMOS **256K (32K x 8) EEPROM** manufactured by **Intersil** (now part of Renesas Electronics). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 256Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** High-speed CMOS  
- **Access Time:** 90ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:**  
  - Industrial: **-40°C to +85°C**  
- **Package Type:** 32-lead PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 10 years (minimum)  

### **Descriptions:**  
- The **X28HC256JI-90** is a **non-volatile** EEPROM, meaning it retains data even when power is removed.  
- It supports **byte-level read and write operations**, allowing flexible data updates.  
- The **90ns access time** makes it suitable for high-speed applications.  
- It is compatible with **JEDEC standards** for easy integration into existing designs.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: **30mA (max)**  
  - Standby current: **100μA (max)**  
- **Hardware and Software Data Protection:**  
  - Prevents accidental writes with **write protection circuitry**.  
- **Automatic Page Write Operation:**  
  - Allows **up to 64 bytes** to be written in a single operation.  
- **Self-Timed Write Cycle:**  
  - Eliminates the need for external timing components.  
- **CMOS and TTL Compatible Inputs/Outputs:**  
  - Ensures broad compatibility with different logic levels.  

This EEPROM is commonly used in **industrial, automotive, and embedded systems** requiring reliable non-volatile memory.  

*(Note: Intersil was acquired by Renesas Electronics, but the original datasheet specifications remain valid.)*

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM