5 Volt, Byte Alterable E2PROM The X28HC256J-12 is a high-speed CMOS EEPROM manufactured by XICOR. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 256Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** High-Speed CMOS EEPROM  
- **Access Time:** 120ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 28-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles per byte  
- **Data Retention:** 100 years  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**  
- The X28HC256J-12 is a non-volatile memory device that retains data even when power is removed.  
- It supports fast read and write operations with a 120ns access time.  
- Designed for high-reliability applications with extended endurance and data retention.  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 120ns access time for fast read operations.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures efficient power usage.  
- **Byte-Write Capability:** Allows individual byte updates without full sector erasure.  
- **Software Data Protection:** Prevents accidental writes with a controlled write sequence.  
- **Hardware Write Protection:** WP pin enables additional protection against unintended writes.  
- **Automatic Page Write:** Supports 64-byte page write mode for faster programming.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  

This information is based solely on the manufacturer's specifications for the X28HC256J-12 EEPROM.

5 Volt, Byte Alterable E2PROM The **Intersil X28HC256J-12** is a high-speed CMOS **256K (32K x 8) EEPROM** with the following specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 256Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** High-Speed CMOS  
- **Access Time:** 120ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** 28-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 10 years (minimum)  
- **Write Time:** 10ms (byte write)  

### **Descriptions:**  
- **EEPROM Type:** Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory  
- **Organization:** 32,768 words x 8 bits  
- **Interface:** Parallel (8-bit data bus)  
- **Write Protection:** Software and hardware write protection options  
- **High-Speed Read Operation:** Optimized for fast system access  

### **Features:**  
- **Fast Read Access Time:** 120ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 30mA (max)  
  - Standby Current: 100μA (max)  
- **Automatic Page Write Operation:** Up to 64 bytes per page  
- **Hardware & Software Data Protection:** Prevents accidental writes  
- **CMOS Technology:** Ensures low power and high noise immunity  
- **JEDEC Standard Pinout:** Compatible with industry-standard EEPROMs  

This EEPROM is designed for applications requiring non-volatile memory with fast read/write operations, such as embedded systems, industrial controls, and computing devices.  

(Note: The manufacturer **Intersil** was later acquired by **Renesas Electronics Corporation**.)