LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM The **X28HC256DMB-90** is a high-speed CMOS **256K (32K x 8) EEPROM** manufactured by **Xicor**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Size:** 256Kbit (32K x 8)  
- **Technology:** High-Speed CMOS  
- **Access Time:** 90ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package Type:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  

### **Descriptions and Features:**
- **High-Speed Read Access:** 90ns access time for fast system performance.  
- **Byte-Write Capability:** Allows individual byte writes without requiring a full page or sector erase.  
- **Automatic Write Timing:** Internal self-timed write cycle eliminates external timing constraints.  
- **Hardware & Software Protection:** Features write protection mechanisms to prevent accidental data corruption.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures low power operation in both active and standby modes.  
- **Compatibility:** Fully compatible with industry-standard 256K EEPROM pinouts.  
- **Reliability:** High endurance and long data retention make it suitable for critical applications.  

This EEPROM is commonly used in applications requiring non-volatile memory storage, such as embedded systems, industrial controls, and telecommunications equipment.  

(Note: This information is based on the manufacturer's datasheet and may vary slightly depending on revisions.)

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM