N-Channel, 20V, 3.6A, Power MOSFET Excellent ON resistance for higher DC current Here are the factual details about part **WNM2034** from **Will Semi** based on Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:** Will Semiconductor (Will Semi)  
### **Part Number:** WNM2034  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 45mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 20ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 10ns (typical)  
### **Package:**  
- **Type:** SOT-23  
- **Pin Configuration:**  
  - **Pin 1:** Gate (G)  
  - **Pin 2:** Source (S)  
  - **Pin 3:** Drain (D)  
### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching speed  
- Low gate charge for improved drive efficiency  
- RoHS compliant  
- Lead-free and halogen-free  
### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  
This information is based solely on the provided knowledge base. For further details, consult the official datasheet from Will Semi.