N-Channel, 20V, 3.6A, Power MOSFET Excellent ON resistance for higher DC current **Manufacturer:** Will Semiconductor (Will Semi)  

**Part Number:** WNM2027  

### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Technology:** GaAs (Gallium Arsenide)  
- **Frequency Range:** Up to 6 GHz  
- **Application:** RF amplification in wireless communication systems  
- **Package Type:** SOT-89 (Surface Mount)  
- **Operating Voltage:** Typically 3V to 5V  
- **Gain:** High gain characteristics for signal amplification  
- **Low Noise Figure:** Optimized for low-noise applications  

### **Descriptions:**  
The WNM2027 is a high-frequency RF transistor designed for wireless communication applications, including cellular and Wi-Fi systems. It is built using GaAs technology, providing excellent high-frequency performance and efficiency.  

### **Features:**  
- High-frequency operation (up to 6 GHz)  
- Low noise figure for improved signal clarity  
- High gain for effective signal amplification  
- Compact SOT-89 package for space-constrained designs  
- Suitable for battery-powered devices due to low power consumption  

This information is based on available technical documentation for the WNM2027. For exact performance metrics, refer to the official datasheet from Will Semi.

N-Channel, 20V, 3.6A, Power MOSFET Excellent ON resistance for higher DC current