Silicon N-Channel MOSFET The WFU2N60 is a power MOSFET manufactured by WISDOM. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The WFU2N60 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other electronic circuits requiring efficient switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Silicon N-Channel MOSFET The WFU2N60 is a power MOSFET manufactured by W. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The WFU2N60 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (600V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the provided knowledge base.