N-Channel MOSFET The WFP7N60 is a MOSFET manufactured by WISDOM. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 28A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.9Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The WFP7N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures robustness in switching conditions.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides reliability under inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Facilitates easy mounting and heat dissipation.  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed application notes, refer to WISDOM's official resources.