Silicon N-Channel MOSFET The part WFF7N60 is manufactured by 威士顿 (Weston). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low gate charge for improved switching efficiency.  
- Fast switching speed to reduce power losses.  
- Avalanche energy rated for rugged performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- TO-220F package for efficient heat dissipation.  

These details are based strictly on the manufacturer's provided data.

Silicon N-Channel MOSFET The WFF7N60 is a power MOSFET manufactured by WISDOM. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The WFF7N60 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and inverters due to its low on-resistance and fast switching characteristics.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **TO-220F Package:** Facilitates easy mounting and heat dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's provided data for the WFF7N60 MOSFET.

Silicon N-Channel MOSFET The WFF7N60 is a power MOSFET manufactured by **WeEn Semiconductors**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The WFF7N60 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power supply circuits, inverters, and motor control systems.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V V_DSS  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive loads  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation from **WeEn Semiconductors**.