Silicon N-Channel MOSFET The part **WFF2N60** is manufactured by **WISDOM**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  

### **Descriptions:**  
- The **WFF2N60** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power management in electronic circuits, inverters, and motor control systems.  
- The TO-220F package provides efficient thermal performance and mechanical durability.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss during conduction.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Robustness:** Enhances reliability in switching circuits.  
- **Fully Molded Package:** Provides better insulation and mechanical strength.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

Silicon N-Channel MOSFET The part WFF2N60 is manufactured by 威士顿 (Weston). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F  

### **Descriptions:**  
- The WFF2N60 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power management, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures efficient switching performance.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220F Package:** Offers good thermal performance and ease of mounting.  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's official documentation.

Silicon N-Channel MOSFET The part **WFF2N60** is a **N-Channel MOSFET** with the following specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **WeEn Semiconductors**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Description:**  
- A **high-voltage MOSFET** designed for switching applications.  
- Suitable for **power supplies, motor control, and inverters**.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for fast switching.  
- **Low on-resistance** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.