Silicon N-Channel MOSFET The part WFF10N65 is a power MOSFET manufactured by 威士顿 (Weston). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Model:** WFF10N65  
- **Manufacturer:** 威士顿 (Weston)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.0V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Fully insulated TO-220F package for better thermal performance and electrical isolation.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  
- RoHS compliant.  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional suggestions or guidance are included.