1M x 4 BANKS x 16 BITS SDRAM The part **W9864G6DB-7** is manufactured by **Winbond**. Here are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 64Mbit (8M x 8-bit)  
- **Organization:** 1M words × 16 bits × 4 banks  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed Grade:** -7 (7ns access time, 143MHz operating frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** LVTTL (Low Voltage TTL)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency:** 2 or 3 programmable  

### **Descriptions:**
- The **W9864G6DB-7** is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports burst read and write operations, making it suitable for memory-intensive systems.  
- The device operates with a single 3.3V power supply and is compatible with JEDEC standards.  

### **Features:**
- **High Performance:** 143MHz clock frequency with 7ns access time.  
- **Low Power Consumption:** Supports power-down and self-refresh modes.  
- **Programmable Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page burst operations.  
- **Auto Precharge:** Allows automatic precharge at the end of burst operations.  
- **4-Bank Operation:** Enhances memory efficiency by reducing access conflicts.  
- **Industrial-Grade Reliability:** Designed for stable operation in various environments.  

This information is based solely on Winbond's official specifications for the **W9864G6DB-7** SDRAM.