Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier The part VT3045C is manufactured by **Vishay Siliconix**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The VT3045C is a **P-Channel Enhancement Mode MOSFET** designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low-voltage, high-current switching in circuits such as power supplies, motor control, and battery management.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to Vishay Siliconix's official documentation.

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier