High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 830 nm, GaAlAs Double Hetero The **VSMG2700-GS08** is a **GaN (Gallium Nitride) power transistor** manufactured by **VISHAY**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Enhancement-mode GaN power transistor  
- **Package:** GS08 (8-pin D2PAK)  
- **Voltage Rating (VDS):** 650 V  
- **Current Rating (ID):** 27 A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** Typically 70 mΩ (at VGS = 6 V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** Typically 1.5 V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power conversion** applications.  
- **Low gate charge (Qg)** and **low output capacitance (Coss)** for fast switching.  
- **No reverse recovery losses** due to GaN technology.  
- Suitable for **high-frequency switching** in power supplies, motor drives, and renewable energy systems.  
- **Lead-free and RoHS-compliant** packaging.  

For detailed datasheets, refer to **VISHAY's official documentation**.