Enhancement-Mode MOSFET Transistors The VP2020L is a photodiode manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PIN Photodiode  
- **Package Type:** T-1 3/4 (5 mm)  
- **Wavelength Range (Peak Sensitivity):** 400 nm to 1100 nm  
- **Peak Sensitivity Wavelength (λp):** 900 nm  
- **Radiant Sensitive Area:** 7.5 mm²  
- **Reverse Voltage (VR):** 30 V  
- **Dark Current (ID):** 2 nA (Typical at VR = 10 V)  
- **Capacitance (CJ):** 40 pF (Typical at VR = 10 V, f = 1 MHz)  
- **Rise Time (tr):** 10 ns (Typical at VR = 10 V, RL = 50 Ω)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +100°C  

### **Descriptions:**  
- The VP2020L is a high-speed silicon PIN photodiode designed for applications requiring fast response times.  
- It is housed in a hermetically sealed T-1 3/4 package with a flat glass window.  
- Suitable for visible and near-infrared (NIR) light detection.  

### **Features:**  
- **High Sensitivity:** Optimized for 900 nm wavelength.  
- **Fast Response Time:** 10 ns typical rise time for high-speed applications.  
- **Low Dark Current:** Ensures better signal-to-noise ratio.  
- **Hermetic Sealing:** Provides reliability in harsh environments.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for industrial and automotive applications.  

For exact performance characteristics, refer to Vishay’s official datasheet.