Enhancement-Mode MOSFET Transistors The VP0610T is a part manufactured by SI (Siliconix). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **SI (Siliconix)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

### **Descriptions & Features:**  
- **Package:** TO-220  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** suitable for power management applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for rugged performance.  
- **Applications:** Power supplies, motor control, DC-DC converters, and load switching.  

This information is strictly based on the available technical data for the VP0610T MOSFET by Siliconix.